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概述
电容-电压(C-V)测量广泛用于半导体参数测试方面，尤其是MOS CAP和MOSFET结构。MOS(金属-氧化物-半导体)结构的电容是外加电压的函数，MOS电容随外加电压变化的曲线称之为C-V曲线（简称C-V特性），C-V曲线测试可以方便的确定二氧化硅层厚度dox、衬底掺杂浓度N、氧化层中可动电荷面密度Q1、和固定电荷面密度Qfc等参数。
系统方案
普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。
进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信号进行测量。一般使用的交流信号频率在10KHz 到1MHz之间。所加载的直流偏压用作直流电压扫描，扫描过程中测试待测器件待测器件的交流电压和电流，从而计算出不同电压下的电容值。详询一八一四零六六三四七六；
系统优势
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频率范围宽：频率范围10Hz~1MHz连续频率点可调；
高精度、大动态范围：提供0V~3500V偏压范围，精度0.1%；
内置CV测试：内置自动化CV测试软件，包含C-V（电容-电压），C-T（电容-时间），C-F（电容-频率）等多项测试测试功能;
兼容IV测试：同时支持击穿特性以及漏电流特性测试；
实时曲线绘制：软件界面直观展示项目测试数据及曲线，便于监控；
扩展性强：系统采用模块化设计，可根据需求灵活搭配；
基本参数
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LCR |
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测试频率 |
10Hz-1MHz |
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频率输出精确度 |
±0.01% |
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基本准确度 |
±0.05% |
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AC测试信号准位 |
10mV至2Vrms (1m Vrms 解析度) |
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DC测试信号准位 |
10mV至2V (1m Vrms 解析度) |
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输出阻抗 |
100Ω |
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量测范围 |
|Z|, R, X |
0.001mΩ–99.999MΩ |
|Y|, G, B |
0.1nS–99.999S |
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Cs、Cp |
0.01pF – 9.9999F |
Ls Lp |
0.1nH–9.999kH |
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D |
0.00001-9.9999 |
Q |
0.1-9999.9 |
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DCR |
0.001mΩ–9.999MΩ |
Δ% |
-9999%-999% |
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θ |
-180° -+180° |
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SMU |
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VGS范围 |
0 - ±30V(选配) |
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IGSS/IGES |
≥10pA(选配) |
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VDS范围 |
0 - ±300V |
0 - ±1200V |
0 - ±2200V |
0 - ±3500V |
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IDSS/ICES |
≥10pA |
≥1nA |
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源测精度 |
0.03% |
0.1% |
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功能 |
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测试方式 |
点测、图形扫描 |
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测试参数 |
DIODE:CJ、IR、VR MOSFET:Ciss、Coss、Crss、Rg、IDSS、IGSS、BVDSS IGBT:Cies、Coes、Cres、ICES、IGES、VBRCES |
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接口 |
RS232、LAN |
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编程协议 |
SCPI、LabView |
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软件界面及功能
CV曲线图
典型配置
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源表 |
VGS/VGE |
选配，S100/P100 |
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VDS/VCE |
标配S300，可选P300/E100/E200/E300 |
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LCR表 |
标配10Hz~1MHz频率，可选5MHz/10MHz |
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矩阵开关 |
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上位机软件 |
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其他 |
三同轴电缆、LAN线 |
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