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高电压大电流功率半导体行业测试设备+功率器件静态参数测试设备

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品牌: 普赛斯仪表
集电极-发射极 最大电压: 3500V
栅极-发射极 最大电压: 300V
漏电流测试范围: 1nA~100mA
单价: 1000.00元/台
起订: 1 台
供货总量: 10000 台
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
所在地: 湖北 武汉市
有效期至: 长期有效
最后更新: 2023-08-10 10:57
浏览次数: 16
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公司基本资料信息
详细说明


高电压大电流功率半导体行业测试设备+功率器件静态参数测试设备

   普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。


    普赛斯IGBT功率器件静态参数测试系统配置由多种测量单元模块组成,系统模块化的设计能够极大方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。


“双高”系统优势

    高电压、大电流

    具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(z大可扩展至10kV)

    具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)

    高精度测量

    nA级漏电流,  μΩ级导通电阻

    0.1%精度测量

    模块化配置

    可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元

    测试效率高

    内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元

    支持国标全指标的一键测试

    扩展性好

    支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具


测试项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等


高电压大电流功率半导体行业测试设备+功率器件静态参数测试设备特点和优势:

单台Z大3500V输出;

单台Z大1000A输出,可并联后Z大4000A;

15us的超快电流上升沿;

同步测量;

国标全指标的自动化测试;

可定制夹具;

nA级电流和uΩ级电阻测量;


联系我们: 

单位名称:武汉普赛斯仪表有限公司

网站:http://www.whpssins.com.cn

单位地址:武汉市东湖新技术开发区光谷大道308号光谷动力节能环保产业园10栋5楼

联系人:陶女士

联系电话:18140663476/027-87993690

工作QQ:1993323884

邮箱:sales1@whprecise.com

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